4）全方位反射膜

　　除在键合界面制备金属基反射层外，也可以通过外延技术生长具DBR层的AlInGaP和AlInGaN基芯片，但由于DBR反射率随着入射角的增加迅速减少，以全方位平均仍有较高的光损耗，反射膜效率不高。

　　金属基全方位反射膜可应用于正装芯片也可应用于倒装芯片。金属基全方位反射膜可有效提升出光效率，但必须解决如何制备低阻欧姆接触，高的全方位反射率，和在后续工艺过程中反射膜不会被损害而失去低阻高反射的特性等。

5）金属键合剥离技术

　　美国惠普公司结合键合技术最早采用大衬底剥离技术将GaAs衬底与外延层剥离，然后将外延层粘接在透明的GaP衬底上制备AlInGaP基芯片，此项技术可以提高近2倍的发光效率。

　　1996年报道了用激光技术将2英寸HVPE GaN与蓝宝石剥离， 用Si(或金属)衬底取代蓝宝石衬底的AIGaInN功率型芯片主要由三个关键工艺步骤完成：①在外延表面淀积键合金属层如Pd 100 nm，以及在键合底板上如Si底板表面淀积一层1000 nm的铟；②将外延片低温键合到底板上；③用KrF脉冲准分子激光器照射蓝宝石底面，使蓝宝石和GaN界面的GaN产生热分解，再通过加热(40度)使蓝宝石脱离GaN。

　　2003年2月，德国OSRAM公司用激光技术将蓝宝石去除，使芯片的出光效率提至75%，是传统芯片的3倍。采用将芯片键合到Cu片上再激光剥离蓝宝石衬底，可使散热能力提高4倍，发光功率也提升4倍。

6）表面粗糙化

　　表面粗糙化主要是将那些满足全反射定律的光改变方向，继而在另一表面或反射回原表面时不被全反射而透过界面，并能起防反射的功能。表面粗糙通过散射光的方向减少内反射，但同时又不能损伤材料的电光特性。透射率的增加被认为是表面粗糙化的主要功能，优化的表面粗糙（430nm球状起伏表面）可使出光效率可以达到54%。

　　德国Osram公司于2001年研制出新一代的AlInGaP基芯片，采用最新设计将芯片窗口层表面腐蚀成能