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JPSA获得LED垂直刻蚀技术获韩国专利
  时间:2008-1-7  16:55:34    来源:中国半导体照明网译    作者:  浏览
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  美国JPSA公司是世界领先的激光材料加工工作站设计商和供应商,其LED晶圆的激光垂直刻蚀技术已获得专利。

  该专利可在韩国应用。该专利技术是通过使用独特的激光能源分布系统,实现狭窄切割,切割宽度可达到2.5微米,从而是切割工艺更快,晶圆产出量更高。而且狭窄切口可以使每片晶圆能够产出的芯片单元(die)数量更高。JPSA通过提高IX-200紫外二极管泵浦固体(DPSS UV)激光器系统,提高了LED蓝宝石晶圆切片能力。

  JPSA会长Jeffrey P. Sercel称:“这种新型专利技术能够提高LED厂商加工晶圆的产量。使用我们的Chromadice系统,通过该专利程序,每小时能够加工15片2英寸晶圆。这与钻石切割及传统激光技术相比,产量有了显著的提高。”

  IX-200 ChromaDiceT DPSS系统不仅是高精度晶圆刻蚀系统,而且也适用于晶圆焊接及切割应用。其紫外二极管泵浦固体(DPSS UV)激光器系统可以执行高速晶圆划刻,标准出片率高达99%以上,且每片晶圆划片成本不到2美元。另外,该系统还可以用于弯曲或变形的晶圆,可以适用于所有的晶圆类型。(http://compoundsemiconductor.net/blog/2008/01/jpsa_picks_up_led_scribe_paten.html)

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