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  当今,半导体照明的迅猛发展,特别是应用领域的多方牵引,大大激发了业界对于上中游技术研发的积极性。为了突破产业化的共性关键技术,形成自主知识产权,促进我国人才队伍的培养,应国家半导体照明工程研发及产业联盟常务理事单位—中国科学院半导体研究所倡议,联盟组织的“半导体照明前沿关键技术培训研讨会”于1月24日在中科院半导体所学术会议中心召开。来自外延、芯片、封装及其相关材料的研究与生产单位技术负责人和技术骨干以及半导体照明专业学生120余人参加了这次培训研讨会,包括大学、研发机构、企业等30余家单位,特别是国内主要的外延厂商均有代表参会。

   中科院物理研究所、清华大学、北京大学、中科院半导体研究所、有研稀土新材料股份有限公司等各单位的专家对量子阱结构、外延生长、图形衬底、垂直结构、芯片关键工艺、白光LED和荧光粉技术相关专利及半导体照明研发平台建设问题做了深入细致的报告。培训研讨会期间,参会代表还参观了中科院半导体照明研发中心。 [详细]


主办单位

·国家半导体照明工程研发及产业联盟

协办单位

·中国科学院半导体照明研发中心

主要内容

1、技术培训:
 * 图形衬底制备及外延生长技术
 * 高效大功率LED外延生长及其制备技术
 * 垂直结构芯片制备技术动态

2、研讨:LED专利技术的进展与分析

 

  在报告中,周均铭教授分析了极化效应对GaN基LED发光效率的影响及非对称InGaN/GaN耦合宽窄量子阱中的隧穿辅助反常载流子运输问题;提出了非对称量子阱结构中内量子功率显著提高的方法;并且指出目前该所已经形成了生长高亮度蓝光LED外延材料的生产技术,并申请了专利。[详细]
  在报告中,罗毅教授从Ⅲ/Ⅴ族半导体材料及外延生长的原理性问题入手,采用CFD方法模拟了MOCVD生长工艺,分析了GaN体材料的生长与掺杂问题,评价了多量子阱的生长与优化,认为对GaN材料物理特性的独到准确理解是获得高质量GaN材料的关键。[详细]
  在报告中,闫发旺研究员通过图形衬底及侧向外延技术的对比,揭示了图形衬底技术的优势与研究必要性;详尽介绍了中科院半导体研究所图形衬底技术进展与结果:已掌握基础关键技术、申请五项专利,并在小功率芯片有突出成就;最后,他分析了该技术专业化开发的优势,提出已具备批量生产能力,且价格较台湾更具优势。[详细]
  在报告中,张国义教授分析了竖直结构的优点及实现方法;深入阐述了激光剥离技术的优点、几种转移衬底方法及提高竖直结构LED性能的器件设计方案;并介绍了北京大学宽禁带半导体研究中心竖直结构技术现状、国外的技术情况及未来技术趋势。[详细]
  在报告中,王良臣研究员深入介绍了正装挑选线阵功率型LED关键技术及进展,认为正装条形双透明电极LED在光、电、热特性上均优于传统正装结构,且利于产业化;并阐述了垂直结构功率型LED原理,关键技术方案、瓶颈及进展;认为垂直技术结合图形衬底、ITO及表明粗化,可获得最高提取率。[详细]
  在报告中,王军喜研究员介绍了GaN、AlN、SiC、ZnO单晶衬底技术,紫外LED、SiC、非极性、图形衬底、垂直结构外延技术及器件工艺国内外专利情况,并对专利从宏观角度进行了分析。[详细]
  在报告中,庄卫东研究员分析了白光LED用荧光粉的市场、实现方式、选择标准和优势;从石榴石型钼酸盐荧光粉、正硅酸盐荧光粉、氮化物/氮氧化物荧光粉及其它类型荧光粉四个方面分析了LED用荧光粉特性及专利情况,并对国家和企业提出了建议。[详细]

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